Екатеринбург
Главная | Товары | Как купить | Доставка и Оплата | Гарантия | Партнерам | Контакты
Телефоны в Екатеринбурге
Время работы
пн—пт: 10:00 — 20:00
сб, вс: 10:00 — 18:00
Заказать звонок Написать письмо Скачать прайс-лист
Пожаловаться |Поблагодарить
 
В вашей корзине
0 товаров на сумму
0 руб.
Сравнить 0 товаров
Каталог
 
Главная/Товары/КОМПЛЕКТУЮЩИЕ ДЛЯ ПК/Жесткие Диски и SSD/Твердотельные диски SSD/

Накопитель SSD M.2 1Tb Transcend SSD110S TLC PCI-E Gen3 x4 (TS1TMTE110S) w1500/r1700 2280
Накопитель SSD M.2 1Tb Transcend SSD110S TLC PCI-E Gen3 x4 (TS1TMTE110S) w1500/r1700 2280
Нет в наличии
Cравнить
5 639 руб.
Задать вопрос по товару
Уведомить о поступлении
ID: 144897
Характеристики
Подробные характеристики
Основные характеристикиЕмкость 1 ТБТип флэш-памяти TLC 3D NANDНазначение для ноутбука и настольного компьютераФорм-фактор M.2 2280
ПодключениеИнтерфейсы PCI-EРазъем M.2Тип разъема M.2 2280, MТип PCI-E PCI-E 3.0 x4
Параметры накопителяСкорость чтения 1700 МБ/сСкорость записи 1400 МБ/сСкорость случайной записи (блоки по 4 КБ) 140000 IOPS
Ударостойкость и ресурс работыВремя наработки на отказ 2000000 чСуммарное число записываемых байтов (TBW) 400 ТБ
ФункцииПоддержка технологий NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ
ДополнительноМакс. рабочая температура 70 °CВысота 3.58 ммДлина 80 ммШирина 22 ммВес 8 г
ОписаниеSSD M.2 накопитель Transcend MTE110S – модель от всемирно известного производителя устройств памяти. Накопитель может использоваться совместно с мобильными и стационарными компьютерами, в которых реализована поддержка технологии NVMe. Форм-фактор устройст
Описание
ПроизводительTranscend
Основные характеристики
Емкость1 ТБ
Тип флэш-памятиTLC 3D NAND
Назначениедля ноутбука и настольного компьютера
Форм-факторM.2 2280
Подключение
ИнтерфейсыPCI-E
РазъемM.2
Тип разъема M.22280, M
Тип PCI-EPCI-E 3.0 x4
Параметры накопителя
Скорость чтения1700 МБ/с
Скорость записи1400 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)140000 IOPS
Ударостойкость и ресурс работы
Время наработки на отказ 2000000 чСуммарное число записываемых байтов (TBW) 400 ТБ
Время наработки на отказ2000000 ч
Суммарное число записываемых байтов (TBW)400 ТБ
Функции
Поддержка технологийNVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ
Дополнительно
Макс. рабочая температура70 °C
Высота3.58 мм
Длина80 мм
Ширина22 мм
Вес8 г
Увидели ошибку на сайте? Выделите фрагмент и нажмите Ctrl+Enter Магазин электронных гаджетов "Интеллект"

г. Екатеринбург:620137 Россия, Свердловская область, г. Екатернбург ул. Менделеева
 Информация представленная на сайте, носит исключительно информационный характер и не является публичной офертой, определяемой Статьей 437 (2) ГК РФ